Changchun Institute of Optical Machinery and Physics (CIPM), Chinese Academy of Sciences (CAS), har rapporterat att forskargruppen om högeffekts halvledarlasrar vid CIPM, under ledning av akademikern Wang Lijun och forskaren Ning Yongqiang, har utfört forskning på avancerade halvledarlasrar med smal linjebredd och nyckelteknologier de senaste åren.
Nyligen rapporterade Associate Researcher Chao Chen i teamet en 852nm smal linjebredd, linjärt polariserad halvledarlaser baserad på en extern optisk återkopplingsstruktur. Laserstrukturen uppnår en laserutsignal med hög linjepolarisation, smal linjebredd på över 30 dB polarisationsutsläckningsförhållande och så lågt som 2,58 kHz genom att introducera ett femtosekund laserinducerat dubbelbrytande Bragg-gitterfilter och integrera det med en hybrid av högpolarisations-korrelation halvledarförstärkningschips med användning av polarisationsläge-selektiv återkoppling och injektionslåsningstekniker.
Fig. (a) Excitationsspektrala egenskaper hos lasern, (b) Polarisationsextinktionsförhållandets variationsegenskaper med injektionsström (insatsen visar lasereffekten uppmätt av laserns olika vågplattas rotationsvinklar), (c) slagfrekvenseffektspektrum och dess anpassningskurva för laserlinjebredden mätt med tidsfördröjd självabsorption, och (d) numerisk simulering och testresultat från Lorentzian linjebredd.
Lasern kan användas som en potentiell atompumpad ljuskälla för kvantprecisionsmätningssystem och, baserat på tidigare forskning inom strålningsbeständiga lasrar med smal linjebredd, är den också lovande att användas i kalla atom-kvantexperimentsystem i rymdmiljöer, både ombord och ombord pilar.
